Компания Toshiba сообщила о начале использования 24-нанометрового технологического процесса для производства встраиваемых чипов флэш-памяти NAND, которые ориентированы на применение в составе широкого перечня устройств: планшетов, смартфонов, устройств для чтения электронных книг, цифровых камер, мультимедийных проигрывателей и принтеров.
Новая разработка позволяет производительность и емкость таких чипов памяти по сравнению с существующими решениями. Кроме того, за счет использования более тонкого технологического процесса появилась возможность создавать чипы памяти высокой емкости, обладающие меньшими размерами, что позволяет более рационально использовать поверхность печатной платы мобильных устройств. Отмечается, что новые устройства e-MMC toggle-mode DDR (double data rate) NAND соответствуют стандарту JEDEC e-MMC Version 4.41. Toshiba намерена наладить производство чипов памяти емкостью 2, 4, 8, 16, 32, 64 и 128 ГБ.
Новая разработка позволяет производительность и емкость таких чипов памяти по сравнению с существующими решениями. Кроме того, за счет использования более тонкого технологического процесса появилась возможность создавать чипы памяти высокой емкости, обладающие меньшими размерами, что позволяет более рационально использовать поверхность печатной платы мобильных устройств. Отмечается, что новые устройства e-MMC toggle-mode DDR (double data rate) NAND соответствуют стандарту JEDEC e-MMC Version 4.41. Toshiba намерена наладить производство чипов памяти емкостью 2, 4, 8, 16, 32, 64 и 128 ГБ.
Комментариев нет:
Отправить комментарий